天眼查App显示，2025年5月30日，「MOSFET器件及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为珠海格力电子元器件有限公司、珠海格力电器股份有限公司，该项半导体器件专利涉及MOSFET器件的优化设计与制备工艺。据专利信息显示，该技术实现了显著优化，有效解决了现有技术中MOSFET器件导通电阻较大和面积不能优化的问题。发明人为向坤、马万里、刘浩文、肖帅、闫正坤、谭键文。 「本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法，该器件包括至少一个第一区域，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第一体区，第一掺杂区位于外延层背离衬底一侧，第二掺杂区环绕第一掺杂区的外周，第一体区位于第二掺杂区靠近衬底的一侧，第一区域与MOSFET器件的源极接触；多个第二区域分布在第一区域的外周，第二区域包括外延区域、第三掺杂区和第二体区，第二体区环绕外延区域的外周，第三掺杂区位于第二体区背离外延区域的一侧，其中，第一体区与第二体区接触，第三掺杂区与第二掺杂区接触，第二区域与MOSFET器件的栅极结构接触。」

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