天眼查App显示，2025年6月10日，「一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件」正式进入专利公布阶段。申请人为上海韦尔半导体股份有限公司，该项半导体器件专利涉及MOSFET器件的安全工作区优化技术。据专利信息显示，采用本申请的制备方法，MOSFET器件的导通电阻相比于传统宽SOA产品显著降低，同时可以降低生产成本并简化工艺流程。发明人为薛华瑞、董建新。「本申请实施例还提供一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件，本申请将第一接触孔间隔设置不同宽度，本申请制备方法制备的MOSFET器件的导通电阻相比于传统宽SOA产品导通电阻小很多，而且可以降低生产成本，简化工艺流程。」

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