天眼查App显示，2025年6月13日，「嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体专利涉及阻变存储器及嵌入式存储结构的制备方法。据专利信息显示，本发明可靠性、可操作性强，具有较高的制作良率。发明人为宋富冉、周儒领。 「嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法」首先在第一半导体结构的层间介质层上制备第一金属间电介质层；在第一金属间电介质层内制备第一金属线路和第一电极板；继续制备第一阻挡层；采用蚀刻工艺打开第一电极板一侧区域的第一金属间电介质形成第一凹槽；依次沉积阻变材料和导电金属材料；平坦化并停留在第一阻挡层上，得到嵌入式存储结构。通过全新的工艺顺序制备了改变电极板方位的阻变存储单元，使得阻变式阻变存储器整体紧凑，也可以兼容现有技术中MOS制程。经过仿真验证，本发明具有显著优化的技术效果。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。