在美光宣布停产DDR4之际，DRAM市场正在发生显著变化。最新数据显示，DDR4 DRAM现货价包括8Gb、16Gb等规格单日暴涨近8%，本季以来报价已翻涨一倍以上。

集邦科技旗下DRAMeXchange的数据表明，上周五晚间DDR4现货价全面上涨，其中DDR4 8Gb（1G×8）3200涨幅为7.8%，均价达3.775美元；DDR4 8Gb（512M×16）3200涨幅为7.99%，均价为3.824美元；DDR4 16Gb（1G×16）3200涨幅为7.9%，均价为8.2美元。有业者表示，这是至少十年来现货价单日涨幅最大的一次。

全球DRAM厂商也在经历一系列变化。美光发布了10nm第六代（D1c）DRAM原型，其1γ DDR5数据传输速率可达每秒9200兆次传输（MT/s），相比前代提升15%。该技术可将功耗降低20%以上，支持AI和数据中心需求。美光计划于今年第二季度向部分合作伙伴提供1y LPDDR5X 16Gb产品样品，并于2026年量产12层堆叠36GB HBM4样品。

此外，英伟达选择美光作为下一代内存解决方案SOCAMM的首家供应商，采用铜线键合技术增强散热性。美光是首家获得英伟达量产批准的公司。

美光还宣布投资2000亿美元用于美国尖端DRAM制造和研发，同时扩大台湾和日本产能，并计划2027年启用爱达荷州新工厂。

三星方面，HBM3E认证过程受阻，预计第三季度完成认证并第四季度开始供货。然而，三星已向AMD交付第五代HBM芯片，显示其在高性能存储器供应上的进展。三星还在华城晶圆厂建设1c DRAM（第六代10nm DRAM）量产线，预计年底完成。

SK海力士成为全球DRAM市场份额*的供应商，占据36%份额，超越三星电子的34%。尽管如此，SK海力士对设施投资采取谨慎态度，推迟了M15X工厂设备引入计划，预计产能将从每月1.5万片降至不足1万片。

技术层面，三星和SK海力士已在D1a和D1b单元设计中商业化最小12nm级DRAM单元，美光计划在其1γ代中引入EUV技术。高K金属栅极（HKMG）技术逐渐普及，各大厂商正推进D1c工艺量产DRAM，并计划至2026-2027年推出最终10纳米级DRAM器件。

Yole报告指出，平面DRAM预计将在2033-2034年的0c/0d节点继续演进，未来可能过渡到3D DRAM架构。HBM单栈容量将从HBM4的288GB增加到HBM8的5,120至6,144GB，功耗从75W增至180W。混合键合技术预计2029年左右随HBM5进入市场。

中国DRAM厂商也在加速推进相关技术，成为影响全球DRAM格局的重要力量。

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