天眼查App显示，2025年6月20日，「一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺」正式进入专利权的授权阶段。申请人为山东芯诺电子科技股份有限公司，该项半导体器件专利涉及可控硅PN结保护技术。据专利信息显示，使用此方法的漏电流可以降低到常规方法的约一半左右，显著优化了高耐压和高温度特性下的漏电流问题。发明人为耿开远。

本发明公开了一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺，属于半导体器件技术领域。该结构包括半导体器件台面，台面上设有沟槽，并在其外部依次设置sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II。通过在中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力强的掺氯二氧化硅层，有效降低了漏电流，解决了现有技术中的相关问题。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。