天眼查App显示，2025年6月20日，「半导体结构及其形成方法」正式进入专利公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体器件专利涉及一种显著优化的半导体结构及其形成方法。据专利信息显示，该技术能够有效降低引出结构发生漏电的可能性，实现突破性进展。发明人为王杰、王丙泉、阎大勇、王志高、黄昕楠。

具体而言，该专利提出了一种半导体结构及其形成方法，包括提供具有相对第一面与第二面的第一衬底，其包含若干相互分立的引出区以及包围各引出区的改性区；对改性区进行处理以赋予导电性；在第一面表面形成第一器件层，并通过在引出区内形成开口，最终实现引出结构与第一互连结构的电连接。此外，在形成引出结构后，通过对相邻引出结构之间施加相同电位，有效避免了电流产生，从而大幅降低了漏电风险。

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