天眼查App显示，2025年06月20日，中国科学院微电子研究所发布公示，拟参与长江存储科技有限责任公司申请的“高密度高性能三维闪存芯片全产业链关键技术”项目，申报国家科学技术奖励中的科学技术进步奖特等奖或一等奖。此次公示期为2025年06月20日至2025年06月24日。公示期间，任何单位或个人如有异议，可向科技处或纪监审办公室提出反馈。此项目涉及多家完成单位，包括长江存储科技有限责任公司、中国科学院微电子研究所、北京大学等。同时，项目拥有多项国内外发明专利，例如中国发明专利‘三维半导体器件及其制造方法’（授权号：CN104022121B）和美国发明专利‘Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same’（授权号：US9437609B2）。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。