天眼查App显示，2025年6月20日，「一种垂直SiC场效应晶体管及其制造方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为无锡新洁能股份有限公司，该项半导体器件专利涉及一种垂直SiC场效应晶体管及其制造方法。据专利信息显示，该发明显著优化了垂直SiC场效应晶体管的阈值稳定性。发明人为朱袁正、周锦程和杨卓。「本发明包括自下而上设置的：漏极电极、第一导电类型的重掺杂SiC衬底、第一导电类型的第一外延层和第一导电类型的第二外延层；第二外延层的上表面设置有多个沟槽，相邻的沟槽之间设置有台面区；台面区的顶部设有第一导电类型的重掺杂源极区，在源极区的上表面设置有源极硅化物接触部；在沟槽的侧面和底部设有第二导电类型的栅极区，在沟槽的底部位于栅极区上设置有栅极硅化物接触部；在台面区内，在栅极区远离沟槽的另一侧的第二外延层内设置有第一导电类型的第一调制区，在沟槽底部的栅极区的下方设置有第一导电类型的第二调制区。」

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