天眼查App显示，2025年6月20日，「一种超结功率器件的外延层的制造方法」正式进入专利公布阶段。申请人为无锡新洁能股份有限公司，该项半导体器件专利涉及超结功率器件的外延层制造技术。据专利信息显示，该技术实现了显著优化的效果。发明人为朱袁正、周锦程、李宗清。 「本发明涉及一种超结功率器件的外延层的制造方法。本发明包括提供高掺杂浓度的第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底的一侧生长低掺杂浓度的第一导电类型半导体，形成第一导电类型外延层；生长第二导电类型半导体，形成第二导电类型外延层；在所述晶圆的正面形成阻挡层，接着选择性刻蚀所述阻挡层，然后刻蚀并穿透第二导电类型外延层，形成多个梯形沟槽，最后去除阻挡层，得到第二导电类型柱；在所述晶圆的正面生长第一导电类型半导体，并填充满所述梯形沟槽，所述梯形沟槽内的第一导电类型半导体构成所述超结功率器件的第一导电类型柱。本发明使得P型柱的宽度不再受到填充困难的限制，且与现有工艺兼容，制造方法简单。」

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。