天眼查App显示，2025年6月20日，「用于制作电子器件的方法及电子器件」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体制造技术领域专利涉及一种使用负泊松比材料作为应力层的电子器件制作方法。据专利信息显示，该方法通过在应力记忆技术中引入负泊松比材料，显著优化了沟道中载流子的迁移率。发明人为李涛、蔡宗佐、许玉威和高志杰。 「本发明公开了一种用于制作电子器件的方法及电子器件，一般涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在晶圆的制造区域沉积具有负泊松比材料的应力层；对晶圆进行退火；以及去除晶圆的制造区域的应力层。根据本发明所公开的用于制作电子器件的方法，通过在应力记忆技术中使用负泊松比材料作为应力层，使得应力层晶体因受到栅电极层的热膨胀而发生的形变可以同时在横向、纵向保持拉伸状态，从而提升沟道中载流子的迁移率。」

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