天眼查App显示，2025年6月20日，「半导体结构及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为晶芯成（北京）科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体制造专利涉及半导体器件的可靠性提升技术。据专利信息显示，该发明通过转化衬底刻蚀残留部的材质，能够显著减少目标区域的衬底材料残留，从而提升第一栅氧化层的可靠性，实现突破性进展。发明人为李燕、宋富冉、苏烁洋、周儒领。

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，具体包括：提供基底；所述基底包括衬底和浅沟槽隔离结构；其中，所述衬底包括被所述浅沟槽隔离结构定义出的第一区域；刻蚀所述衬底，形成位于所述第一区域的凹槽；其中，所述凹槽的底部所在平面与相邻浅沟槽隔离结构互相面对的侧壁形成目标区域；所述目标区域内具有在刻蚀衬底过程中形成的衬底刻蚀残留部；将所述衬底刻蚀残留部的材质进行转化，以在所述目标区域制作得到第一栅氧化层。

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