天眼查App显示，2025年6月24日，「一种衬底触发均匀开启的NMOS结构」正式进入专利的公布阶段。申请人为上海川土微电子有限公司，该项半导体器件专利涉及集成电路设计与制造领域中的NMOS晶体管结构优化。据专利信息显示，该发明通过特定的掺杂结构和电阻网络分布，解决了现有的多指GGNMOS结构导通不均匀的问题，技术效果提升达显著优化。发明人为郑瑞、沈国平、房祥梅、陈东坡。本发明公开了一种衬底触发均匀开启的NMOS结构，包括P型衬底、第一P型well掺杂类型阱区、多个N型重掺杂有源区、多晶硅栅、边缘P型重掺杂有源区、第二P型well掺杂类型阱区、P型高压掺杂well阱区和P型深掺杂阱区；边缘P型重掺杂有源区、第二P型well掺杂类型阱区和P型高压掺杂well阱区从上到下依次注入P型衬底内，且均呈环形结构设置，边缘P型重掺杂有源区包围环形的N型重掺杂有源区；P型深掺杂阱区注入P型衬底内，且其边缘延伸至P型高压掺杂well阱区的底端。

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