天眼查App显示，2025年6月24日，「静电放电保护结构及其形成方法」专利正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体器件专利涉及集成电路制造领域中的静电放电（ESD）保护技术。据专利信息显示，该结构通过引入硅化物阻挡层和高阻区域设计，使得微小电流即可触发沟道导通，从而提升对内部电路的保护能力，实现双路径释放静电电流的设计优势。发明人为郭俊男。摘要中指出，该结构包括衬底、栅极结构、源漏掺杂区、硅化物阻挡层及电互连结构，能够有效应对不同强度的静电放电情况，以此增强集成电路的稳定性和可靠性。

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