天眼查App显示，2025年6月24日，「一种沉积金属氮化物的方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为中微半导体设备（上海）股份有限公司，该项半导体制造专利涉及金属氮化物薄膜的沉积工艺。据专利信息显示，通过在含金属前驱物和/或含氮前驱物给料步骤中引入含硅气体，该方法可在提升沉积速率的同时降低所得薄膜电阻率，技术效果提升达显著优化。发明人为沈成绪、许灿、高烨、陈宇畅、刘鹏杰、杨闰清。摘要指出，该方案采用交替重复给料方式，直至金属氮化物薄膜达到目标厚度，适用于先进集成电路制造中的导电层制备场景。

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