天眼查App显示，2025年6月27日，「免退火的氧化铪薄膜的铁电存储器件制造方法、铁电存储器、存储芯片和电子设备」正式进入专利的公布阶段。申请人为清华大学,北京电子控股有限责任公司，该项半导体制造专利涉及铁电存储器件的制备技术。据专利信息显示，该技术通过优化沉积工艺使反应温度不超过半导体后端工艺的最高温度，从而免去退火步骤，显著优化制备成本并保持高剩余极化强度。发明人为任天令;李欣茹;刘厚方;邵万成;许文嘉;王宽冒。本公开实施例能够免去铁电存储器件制造中的退火工艺步骤，从而降低制备成本，保证铁电存储器件在低热预算的制备工艺下具有高剩余极化强度。

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