天眼查App显示，2025年6月27日，泰科天润半导体科技（北京）有限公司申请的「一种高抗UIS特性低阻平面栅碳化硅VDMOS及制备方法」专利正式进入专利的公布阶段。该半导体器件专利涉及碳化硅功率器件的技术研发与制造工艺优化。据专利信息显示，该技术通过改进器件结构与制备流程，实现抗UIS特性的显著提升，并有效降低导通电阻，达到性能突破性进展。发明人为周海、陈彤、胡臻、何佳。专利摘要指出：本发明通过在碳化硅衬底上构建多层结构并优化金属连接方式，提升了器件的耐压能力与电导效率，适用于高功率、高频电子设备领域。

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