天眼查App显示，2025年6月27日，《一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法》正式进入专利的公布阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项电力电子专利涉及碳化硅功率器件及其制造工艺。据专利信息显示，该技术通过优化结构设计与制备流程，提高器件漏极承受电压时可靠性，实现关键性能指标显著优化。发明人为何佳、周海、李昀佶、陈彤。本发明提供了一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型一区、P型二区、P型阱区、栅保护区、凸起部及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，得到第一P型源区、第二P型源区以及凹槽，淀积形成肖特基金属层、第一突起部、第二突起部、栅极金属层及绝缘介质层；淀积金属，形成源极金属层，提升器件高压工况下的稳定性和导通特性。

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