天眼查App显示，2025年6月27日，「一种半导体发光结构及其制备方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，该项基本电气元件专利涉及半导体发光结构及其制备技术领域。据专利信息显示，该发明通过对半导体发光结构的设计优化与制备工艺改进，实现了器件性能的显著提升。发明人为李泉灵,王俊,程洋,赵武,闵大勇。本发明提供一种包括半导体衬底层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层的半导体发光结构，并通过设置绝缘外延层及特定位置的第一隔离槽和第二隔离槽，实现对发光区域的有效隔离与控制。

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