天眼查App显示，2025年7月1日，「一种氧化铈抛光液的制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为上海新阳半导体材料股份有限公司、上海晖研材料科技有限公司，该项材料应用领域专利涉及半导体制造中的化学机械抛光（CMP）工艺场景。据专利信息显示，本发明通过调控氧化铈研磨粒子、抛光抑制剂、分散剂、pH调节剂及阴离子表面活性剂的配比，可有效控制抛光去除速率，减小沟槽氧化物损失，并降低100μm/100μm区域的碟陷量，实现对氧化硅膜的选择性移除，技术效果提升达显著优化。发明人为王溯、蒋闯、李泽宇。摘要指出，该抛光液具备良好的应用前景，适用于高精度半导体器件制造需求。
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