天眼查App显示，2025年7月8日，中微半导体设备（上海）股份有限公司的「下电极组件及等离子体处理设备」专利正式进入专利权的授权阶段。申请人为中微半导体设备（上海）股份有限公司，该项基本电气元件专利涉及等离子体工艺处理技术领域。据专利信息显示，该发明通过消除脉冲式直流偏压源对箝位电压的影响，解决在工艺过程中基片箝位电压的失稳问题，性能提升达显著优化。发明人为田宁、叶如彬。本发明提供一种下电极组件及等离子体处理设备，所述下电极组件用于等离子体工艺处理，包括：静电吸盘，其上表面用于承载基片；位于静电吸盘中的第一电极，其与一脉冲式直流偏压源电连接；位于静电吸盘中的第二电极，其通过一隔离电路与一直流电压源电连接，所述第二电极位于所述第一电极的上方；所述隔离电路包含一二极管，所述二极管的负极与所述直流电压源的负极电连接、正极与所述第二电极电连接。

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