天眼查App显示，2025年7月8日，「半导体结构及其制备方法、半导体器件」正式进入专利的公布阶段。申请人为深圳深爱半导体股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体结构设计及制备工艺优化。据专利信息显示，该结构通过在至少两层第一导电类型的外延层之间设置第二导电类型的掺杂区域，形成多个浮空型掺杂区，显著提升了器件关断速度与工作频率。发明人为张镜华、魏国栋、陈璐、毕婉晴、陶双福。摘要中指出，由于掺杂区域与外延结构的导电类型相反，在器件关断时少数载流子寿命更短，从而实现更快速关断。本申请为提升功率半导体性能提供了突破性进展。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。