天眼查App显示，2025年7月11日，「一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为聚灿光电科技股份有限公司，该项半导体器件专利涉及LED芯片制造技术场景。据专利信息显示，该方案通过引入氮氧化铝/氮化铝层与氮氧化硅层交错间隔覆盖结构，使复合缓冲层在氧化铝和氧化硅材料上实现更优厚度均匀性，并显著优化晶格失配与应力释放效果。发明人为江汉、程虎、徐洋洋、黎国昌、徐志军、卓昌正、王文君。摘要中指出，该设计可有效减少衔接层处缺陷密度，提升LED芯片性能稳定性。

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