消息称 LG 电子启动混合键合设备开发，追逐未来 HBM 内存制造关键技术

LG 电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，并计划于 2028 年实现大规模量产。

混合键合被认为是构建 16+ 层堆叠 HBM 内存的关键技术。该技术采用无凸块的铜-铜键合方式，缩小各层 DRAM Die 间距，在有限高度下实现更高层数堆叠，同时具备更低发热特性。

目前在 HBM 内存混合键合机台开发方面，Besi 和应用材料公司处于领先地位。韩国两大内存厂商 SK 海力士和三星电子均有关键设备供应本地化的需求，这为 LG 电子进入这一市场提供了机会。

此外，LG 电子已制定强化 AI 与 B2B 业务的发展愿景，而混合键合设备的研发方向也与其目标一致。

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