天眼查App显示，2025年7月15日，「一种制作半导体结构的方法及装置」正式进入专利的公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项基本电气元件专利涉及半导体制作领域中的结构制造工艺。据专利信息显示，通过该发明提供的方法能够加快制作速度，并提高半导体结构的性能。发明人为刘苏涛、林士闵。本发明内容包括：提供一衬底，所述衬底上包含至少一个硅导电区域；在所述衬底上形成金属层；通过第一次退火，所述金属层和所述衬底上的所述硅导电区域反应形成第一金属硅化物；将所述衬底放入刻蚀反应槽内，去除未反应的所述金属层，在去除所述金属层时，所述刻蚀反应槽内的刻蚀液依次经过溶解槽和吸附槽，返回所述刻蚀反应槽；取出所述衬底，对所述第一金属硅化物进行第二次退火，形成第二金属硅化物。

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