西安紫光国芯半导体股份有限公司一种用于降低堆叠DRAM物理层功耗的电路、芯片、存储装置专利公布(信息存储专利快讯)

天眼查App显示,2025年7月15日,「一种用于降低堆叠DRAM物理层功耗的电路、芯片、存储装置」正式进入专利的公布阶段。申请人为西安紫光国芯半导体股份有限公司,该项信息存储专利涉及降低堆叠DRAM物理层功耗的技术场景。据专利信息显示,通过门电路和时钟信号控制,实现了物理层的时钟使能控制,极大降低功耗,且无需控制器提供更多的时钟控制信号,保持控制器不变。发明人为郭富智、王小光、廖宇杰、王嵩。本发明的电路包括多输入逻辑门、时钟树单元、延迟模块和DRAM物理层锁存器,所述多输入逻辑门分别与时钟树单元和延迟模块连接,用于接收控制器的使能信号,并通过使能信号或延迟模块使能时钟树单元;所述时钟树单元用于基于使能信号的控制,向延迟模块和DRAM物理层锁存器同步转发控制器的时钟信号;所述延迟模块与时钟树单元和多输入逻辑门形成逻辑回路,用于延迟所述使能信号,以使DRAM物理层锁存器在bank操作期间翻转。

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