天眼查App显示，2025年7月15日，「一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图」正式进入专利权的授权阶段。申请人为上海韦尔半导体股份有限公司，该项电子电路专利涉及功率MOSFET器件的设计优化，适用于中高压屏蔽栅极功率器件领域。据专利信息显示，在部分第一注入区增加第二注入区的掩膜区，使整个MOSFET中存在两种不同的阈值电压，电流主要从阈值电压低的沟槽流出，在其他工艺不变的情况下，可使MOSFET处于安全工作区，并对其安全工作区的过流能力实现显著优化。发明人为薛华瑞、董建新。本申请实施例提供该版图结构，有效提升器件的稳定性和可靠性。

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