天眼查App显示，2025年7月22日，「一种碳化硅VDMOS的PN浅结复合终端及制备方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项半导体器件专利涉及碳化硅功率器件的终端结构设计及制备工艺。据专利信息显示，该技术通过引入PN浅结复合终端结构，将器件主结处的电场横向往截止环金属方向拓展，有效降低电场强度，提升器件的可靠性和耐压性能。发明人为周海、陈彤、胡臻、何佳。该专利摘要指出，所述方法包括在碳化硅衬底上依次形成漂移层、阻挡层，并通过多次刻蚀与淀积工艺构建包括第二P+掺杂区、N-掺杂区在内的PN浅结结构，以及绝缘介质区、电容金属层、高电阻率导体层和源极金属层等关键结构，从而实现对碳化硅VDMOS器件终端区域的优化设计。

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