天眼查App显示，2025年7月22日，江苏捷捷微电子股份有限公司的「一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为江苏捷捷微电子股份有限公司，该项电力电子专利涉及横向结构的双向可控硅芯片及其制造技术。据专利信息显示，该双向可控硅无需穿通环结构，可以大幅提高生产效率，且在阻断电压、漏电控制、电流密度分布及温升控制方面实现显著优化。发明人为陈英杰、彭鑫葆。本发明包括N-型硅衬底，所述N-型硅衬底上端设置有P型短基区组，所述P型短基区组外侧设置有P型场环组，所述P型短基区组内侧设置有N+型发射区组；采用横向结构的双向可控硅，第一P型场环和第二P型场环深度只需35~40μm即可实现1000V的阻断电压，并且漏电更低，电流密度分布更加均匀，可承受更高的di/dt，温升更低，寄生电容小，dv/dt高。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。