消息称 DDR6 内存单通道位宽提升 50%,预计 2027 年大规模导入

三大 DRAM 厂商已完成 DDR6 原型芯片设计,JEDEC 正在推进相关规范制定。根据台媒《工商时报》报道,DDR6 内存有望在 2026 年平台测试与验证后,于 2027 年启动大规模导入。

DDR6 单通道位宽提升至 96bit,较 DDR5 增加 50%,子通道结构细化为 4× 24bit。这一设计与 LPDDR6 规范一致,有助于双内存平台简化设计。

DDR6 原生频率起步为 8800MT/s,最高频率可达 17600MT/s。该频率范围将显著提升内存数据传输能力。

面对更高信号完整性与 I/O 设计要求,DDR6 或将采用 CAMM 系模组外形规格。该方案有望取代传统 DIMM 模组,成为主流解决方案。

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