天眼查App显示，2025年7月22日，纳晶科技股份有限公司的「半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用」专利正式进入专利的公布阶段。申请人为纳晶科技股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体纳米晶图案层的制备与工业应用。据专利信息显示，该方法摆脱了对有机溶剂的依赖，更加环保并适于量产，技术效果提升达显著优化。发明人为肖鹏伟、高远、赵婧馨。该专利方法包括：提供含半导体纳米晶的水性溶液，半导体纳米晶的表面包括含COO⁻的水溶性配体，水性溶液中还包括光致酸生成剂；将水性溶液设置在基材层上形成一层湿膜，在基材层上方设置图案化的光学掩模版，透过光学掩模版施加光照，从而对湿膜进行图案化，其中光致酸生成剂在光照下产生氢离子，氢离子和COO⁻形成羧基，使得半导体纳米晶表面发生变化而沉淀；撤去光学掩模版及停止光照，用水清洗曝光后的半导体纳米晶层，未曝光的半导体纳米晶脱离基材层而被去除，得到目标的半导体纳米晶图案层。

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