天眼查App显示，2025年7月25日，「存储器结构及其形成方法」专利正式进入专利公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体器件专利涉及存储器结构设计及其制造工艺。据专利信息显示，该技术通过采用过渡金属硫化物作为沟道材料，以及石墨烯材料作为浮栅，显著优化了由于沟道长度缩短带来的短沟道效应以及沟道和浮栅之间的漏电问题，提升了存储器性能并降低了存储面积。发明人为朱孟苏、胡生民、高长城。摘要中指出，该存储器结构包括衬底、沟道结构、擦除栅、浮栅、控制栅结构、字线栅以及位线等关键组件，浮栅位于擦除栅与字线栅之间，位线区与源线区分别设置于沟道结构之上，整体结构设计实现了更高的集成度与稳定性。

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