铠侠、闪迪联合宣布，第九代BiCS 9闪存已开始向客户提供样品。

BiCS 9定位于第八代BiCS 8与第十代BiCS 10之间，不追求最先进工艺，而是侧重性价比、性能与能效的平衡，主要面向企业级与AI应用。

BICS 9采用混合架构设计，分别制造CMOS控制电路晶圆与NAND闪存阵列晶圆，随后进行键合封装，该方式与长江存储技术路线一致。

BiCS 9在BiCS 5(112层)和BiCS 8(218层)基础上，升级了更先进的I/O接口，特别是支持Toggle DDR 6.0，最高传输速度达3600MT/s，测试环境下峰值可达4800MT/s。

与此前512GB TLC闪存相比，BiCS 9在写入性能方面提升最多达61％，能效提升最多36％，读取性能提升最多12％，能效提升最多27％，存储密度也提升了8％。

未来，BiCS 9与BiCS 10将并行发展，不会互相取代。

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