天眼查App显示，2025年7月29日，「掩膜版图设计和掩膜版制备方法、及半导体结构形成方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体技术专利涉及掩膜版图的设计与制备以及半导体结构的形成方法。据专利信息显示，该方法通过优化掩膜版图的图形密度分布，有利于减少工艺复杂度并降低生产成本，技术效果实现显著优化。发明人为史鲁斌。摘要显示，该方法包括根据初始版图生成第一透光版图和第二透光版图，并将两者合并以形成掩膜版图，掩膜版图包括若干插塞图形以及包围插塞图形的若干衬垫层图形，插塞图形与衬垫层图形具有预设图形密度，分别形成掩膜版的不同透光区。

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