三星电子曾于7年前推出对标英特尔3D XPoint傲腾的高端NAND Flash产品“Z-NAND”，但因市场性不足未推出后续产品。

随着AI浪潮兴起，三星宣布将重新开发Z-NAND产品，并设定了最高15倍的性能提升目标。

三星半导体存储业务执行副总裁表示，与传统NAND闪存相比，新一代Z-NAND将实现性能提升最高15倍，同时功耗降低最多80%。该技术将针对AI应用，特别是AI GPU进行优化，重点降低延迟。

三星引入了一种使GPU可直接访问Z-NAND数据的新技术，其原理与微软DirectStorage API类似，被命名为GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）。

Z-NAND采用介于传统DRAM与SSD之间的新型固态存储层，具有更低系统延迟和更高性能。

不同于基于全新架构的3D XPoint，三星此前推出的Z-NAND本质上是经过加速优化的SLC NAND SSD，采用改良的48层V-NAND并以SLC模式运行，其主要改进是将页大小缩小至2–4 KB，从而以更小数据块进行读写，降低延迟。

当时英特尔Optane和三星Z-NAND产品性能比传统SSD快约6–10倍。若三星的新一代技术实现目标，其性能将达到当前NVMe SSD的15倍。

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