天眼查App显示，2025年8月26日，「钕铁硼磁体及其制备方法」专利正式进入专利权的授权阶段。申请人为北京中科三环高技术股份有限公司,天津三环乐喜新材料有限公司，该项基本电气元件专利涉及钕铁硼磁体的成分设计及其制备工艺。据专利信息显示，该磁体包括28wt%~30.5wt%的RL、0.5wt%~2wt%的RH、1.0wt%~2.5wt%的M、0.8wt%~1.0wt%的B、65wt%~69wt%的Fe，并通过调控RH浓度梯度实现磁性能的显著优化。发明人为李志学;曹慧钦;李绍芳;关忠海;程毅。本申请公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法，与钕铁硼磁体取向方向平行的至少一组相对的两个表面之间的距离为d，所述两个表面中任一表面与距离该表面d1深度处的RH浓度差值为ΔC1，d1深度处与d/2深度处的RH浓度差值为ΔC2，d1＜d/2，d1与d/2之间的距离为d2，并且ΔC1/ΔC2≥6，ΔC2与d2的比值k2满足k2＞0，ΔC1与d1的比值k1满足k1＞k2。

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