科大国盾量子技术股份有限公司低功耗的MZ干涉仪及基于硅基SOI芯片的低速相移器专利获授权(光学测量专利快讯)

天眼查App显示,2025年8月26日,「低功耗的MZ干涉仪及基于硅基SOI芯片的低速相移器」专利正式进入专利权的授权阶段。申请人为科大国盾量子技术股份有限公司,该项测量测试领域专利涉及硅基光子器件中的低功耗干涉仪与相移器设计。据专利信息显示,该低速相移器突破了载流子色散型相移器通常适用于高速调制场景的固有思维,通过结构改进,实现极小功耗,并在低速调制场景下表现出大阻抗和极小电流,提升稳定性能达显著优化。发明人为刘仁德、马龑、万颖璇、栗帅、谢志林、何天宇、王立伟。本实用新型借助该低速相移器实现的低功耗MZ干涉仪,在工作中能够保证本身温度不变,从而获得更高的稳定性。专利由北京云嘉湃富知识产权代理有限公司代理。

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