天眼查App显示，2025年8月26日，「半导体器件结构」专利正式进入专利的公布阶段。申请人为思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体器件结构设计。据专利信息显示，该结构通过在器件阱区（漏极）与第一拾取结构之间的漂移区内设置掺杂类型与漂移区相反的浮置掺杂区，以在阱区/体区高电势差条件下降低埋层与外延层体区的电势差，从而提升器件击穿电压（BV），技术效果实现显著优化。发明人为刘坤。本发明公开了一种半导体器件结构，在器件阱区（漏极）与第一拾取结构（埋层与第一拾取结构相连）之间采用夹断（pinch‑off）设计。

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