天眼查App显示，2025年8月26日，《半导体结构及其制备方法》专利正式进入专利的公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项基本电气元件专利涉及半导体结构制备技术领域。据专利信息显示，该技术通过对光刻与刻蚀工艺的协同控制，实现不同深度凹槽的一次性成型，提升了器件集成度与工艺兼容性。发明人为江珂; 林祐丞; 王冉。本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，方法包括：提供半导体材料层，半导体材料层用于形成至少两个凹槽；在半导体材料层的一侧形成第一硬掩模层，蚀刻第一硬掩模层以形成至少两个开口，开口用于定义凹槽的关键尺寸；在开口中形成刻蚀引导结构，刻蚀引导结构的上表面高于第一硬掩模层的上表面；形成覆盖第一硬掩模层和刻蚀引导结构的介质层，介质层的上表面与刻蚀引导结构的上表面齐平；在介质层背离第一硬掩模层的一侧形成光刻胶层，在开口的对应位置处对光刻胶层进行不同深度的曝光以形成不同深度的光刻胶凹槽；基于不同深度的光刻胶凹槽对刻蚀引导结构和半导体材料层执行一次性刻蚀，以在半导体材料层中形成不同深度的凹槽。

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