天眼查App显示，2025年9月5日，「一种稀铋II类超晶格材料及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为中国有研科技集团有限公司，该项半导体材料专利涉及InAs（Bi）/GaSb或InAs（Bi）/InAsSb超晶格结构的设计与制备，通过向InAs层中引入Bi元素，并采用分子束外延生长技术实现交替层叠结构。据专利信息显示，本发明显著改善了材料的应变分布和能带结构，实现了更灵活的波长调控能力，降低了空穴有效质量，提升了载流子迁移率和量子效率。发明人为赵鸿滨;屠海令;李娜。本发明的制备流程包括超高真空环境下的原子氢清洗、快速热退火处理以及光致发光性能表征等步骤，具有良好的工业化应用前景。

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