天眼查App显示，2025年9月16日，江苏宏微科技股份有限公司的「高压快恢复二极管芯片及其制备方法」专利正式进入专利的公布阶段。申请人为江苏宏微科技股份有限公司，该项电子器件专利涉及高压快恢复二极管技术领域，具体提供一种由两部分硅片构成的高性能二极管芯片及其制备方案。据专利信息显示，该技术通过在阳极P区和N区分别设置第一和第二轴向寿命控制区域，有效降低少数载流子浓度，显著优化器件的反向恢复时间与损耗表现。发明人为林茂、黄郭铖、戚丽娜、崔崧、赵善麒。摘要披露，该方案在实现高性能的同时，通过直接硅键合技术提升器件可靠性，并引入场截止结构或缓冲层结构的阴极设计，为高压快恢复二极管提供了新的技术路径。

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