天眼查App显示，2025-09-19，「BCD器件」正式进入专利权的授权阶段。申请人为杭州士兰微电子股份有限公司，该项半导体器件专利涉及高压功率集成电路与模拟电路集成的技术应用场景。据专利信息显示，通过将超结VDMOS单元与平面晶体管单元集成于同一芯片，并利用外延层、衬底与第一中压阱反偏形成隔离岛，显著优化了高电位工作条件下对平面晶体管单元的电气隔离性能。发明人为姚国亮;李杰;张邵华;吴建兴。本实用新型提供了一种BCD器件，包括衬底、外延层、超结VDMOS单元及若干平面晶体管单元，外延层位于衬底的第一表面，外延层内具有第一区域和至少一个第二区域，第二区域内具有第一中压阱；超结VDMOS单元的部分组成结构位于第一区域内，超结VDMOS单元还包括背面金属层，背面金属层位于衬底的第二表面，并与衬底电性连接；若干平面晶体管单元的部分组成结构分别位于第二区域内的相应的第一中压阱内。工作时，超结VDMOS单元的漏电极会接高电位，由于衬底及外延层具有第一掺杂类型，第一中压阱具有第二掺杂类型，因此将若干平面晶体管单元制作在第一中压阱内，外延层、衬底和第一中压阱反偏形成隔离岛，避免衬底接高电位时对若干平面晶体管单元造成不良影响。

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