天眼查App显示，2025-09-23，「半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法」（patentName）正式进入专利权的授权阶段。申请人为江苏南大光电材料股份有限公司，该项新材料合成专利涉及半导体工业中高纯度金属有机化合物的制备技术场景。据专利信息显示，该制备方法通过R2MCl与格氏试剂（CH3）2N‑（CH2）3‑MgCl反应，获得R2M‑（CH2）3‑N（CH3）2，其中R为CH3、C2H5、C3H7或i‑C3H7，M为In、Ga或Al，能够显著优化产物的有机与无机纯度，提升达行业高纯度标准。发明人为王安东;刘子伟;万欣;徐耀中;邓革革;董礼。本发明可制备[3‑（二甲氨基）丙基]二甲基铟、[3‑（二甲氨基）丙基]二甲基镓等多种关键前驱体材料，满足半导体制造对高纯度金属有机源的需求，具有突破性进展。

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