拓荆科技股份有限公司一种承载盘及应用其的半导体设备专利获授权(基本电气元件专利快讯)

天眼查App显示,2025-09-26,「一种承载盘及应用其的半导体设备」正式进入专利权的授权阶段。申请人为拓荆科技股份有限公司,该项基本电气元件专利涉及半导体制造设备中的晶圆承载与非接触吸附技术场景。据专利信息显示,该承载盘通过气体通道与间隙结构设计,利用伯努利原理实现晶圆两侧气流速度差产生的压强差,从而形成数微米级气膜间隙,使晶圆非接触式悬浮于承载主体上,显著优化了晶圆在传输和处理过程中的污染控制能力。发明人为孙少东;吕志鹏;孟亮。本实用新型公开了一种承载盘及应用其的半导体设备,承载盘包括承载主体、吸盘组件以及气体通道,吸盘组件镶嵌在承载主体内且两者之间具有间隙,间隙延伸至承载主体的外表面,气体通道位于承载主体内部,气体通道与间隙连通;气体通道内的气体介质经间隙喷出,能够使得承载主体上的晶圆非接触式吸附在承载主体上。本实用新型采用伯努力原理形成非接触式吸附,通过晶圆两侧气体流速不同产生的压差,晶圆朝向承载主体的一侧不会与承载主体接触,而是存在数微米的气膜间隙,因此在吸附的过程避免了晶圆与承载主体的直接接触,减少了晶圆污染发生的可能。

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