俄罗斯科学院微结构物理研究所公布了一项国产极紫外（EUV）光刻设备的长期路线图，工作波长为11.2纳米，项目周期从2026年延续至2037年，目标实现亚10纳米制程工艺。该方案采用混合固态激光器、基于氙气等离子体的光源及钌/铍（Ru/Be）反射镜，区别于ASML使用的锡滴光源与13.5纳米波长技术，可减少光掩模损伤并降低维护需求。

路线图分为三个阶段：第一阶段（2026–2028年）研发支持40纳米制程的光刻机，配备双反射镜物镜，套刻精度达10纳米，曝光场尺寸最大3×3毫米，晶圆吞吐量超5片/小时；第二阶段（2029–2032年）推出支持28纳米制程（可升级至14纳米）的扫描光刻机，采用四反射镜系统，套刻精度提升至5纳米，曝光场尺寸26×0.5毫米，吞吐量超50片/小时；第三阶段（2033–2036年）目标实现亚10纳米制程，采用六反射镜配置，套刻精度达2纳米，曝光场尺寸最大26×2毫米，设计吞吐量超100片/小时。

设备分辨率预计覆盖65纳米至9纳米范围，适用于当前及未来关键层制造。每代设备将提升光学精度与扫描效率，且据称单位成本显著低于ASML Twinscan NXE与EXE平台。研发团队指出，将EUV技术用于成熟制程具有效率与清洁优势，但未说明11.2纳米非标波长在反射镜抛光、专用光学器件、光源、电源及光刻胶等方面的技术挑战。

该计划旨在规避传统EUV复杂架构，满足小型晶圆厂高性价比需求，不依赖浸没式液体或多重曝光技术。尽管具备潜在国际吸引力，尤其对无法获取ASML设备的客户，其可行性仍待验证，需完成全链条技术跨越。

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