Solidigm正积极推进下一代NAND闪存开发，目标实现约250层堆叠，采用FG架构并以QLC为单元设计类型。

该公司目前是唯一坚持使用FG（浮动栅极）而非CTF（电荷捕获）架构的主要NAND原厂，现有最先进产品为192层QLC NAND。

业界普遍认为FG架构难以扩展至200层以上，但Solidigm已克服技术挑战，将堆叠层数推进至200层中段水平。

新一代产品计划于明年实现商业化，延续FG路线有助于其提供差异化NAND产品，并避免转向CTF架构所需的大额设备投资。

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