Sumit Sadana表示，2026年的DRAM内存供应局面将比当前更为严峻。
他指出，HBM对晶圆的消耗约为传统DRAM产品的三倍，目前三大内存原厂已将大量产能投入HBM生产。同时，新建DRAM晶圆厂所需的时间与资金成本持续上升，短期内难以实现大规模扩产。
美光计划在2026年小批量出货HBM4内存，目标是在HBM领域的市场占有率超过2025年水平，并逐步接近其在整体DRAM市场的占有率。
此外，美光观察到从智能手机到汽车等领域，产品平均搭载的DRAM数量正在提升。在车用市场，公司将与客户合作重新评估更高的定价水平。为满足客户需求，美光决定略微延长DDR4内存的生产周期。
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