随着技术节点推进至1.4纳米（A14）及1纳米（A10），台积电面临制造瓶颈，决定不采购单价高达4亿美元的ASML高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。

尽管采购ASML尖端High-NA EUV光刻机是解决先进制程难题的直接路径，但台积电选择采用“光掩模护膜”技术作为替代方案，以支持2纳米及更先进制程的研发与生产。

此举主要基于成本考量。每台High-NA EUV光刻机售价约4亿美元，台积电评估认为当前设备投入与产出价值不匹配。

公司转而通过在现有标准EUV光刻机上引入光掩模护膜，防止光掩模在曝光过程中受灰尘等微粒污染，从而提升制造精度。

该方案虽可大幅降低资本支出，但也带来新挑战。使用标准EUV设备制造1.4纳米和1纳米芯片需进行多次曝光，增加工艺复杂度。

频繁曝光将提高光掩模使用率，可能影响生产效率并带来良率风险，台积电需通过大量试验优化制程稳定性。

此外，High-NA EUV光刻机供应有限，ASML每年仅能生产五到六台，难以满足台积电大规模产能需求。相较之下，公司每年需采购约30台标准EUV光刻机以应对苹果等大客户订单。

因此，将巨额资金投入少量High-NA设备不符合其长期产能布局规划。

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