随着AI推理市场迅速增长，存储行业步入“后HBM时代”，三星、SK海力士、闪迪等企业正积极推进第六代HBM研发，并加速布局新型高带宽闪存技术HBF。
在2025 OCP全球峰会上，SK海力士推出包含HBF的全新“AIN系列”产品线，并与闪迪签署谅解备忘录，共同制定HBF技术规范。三星也已启动自有HBF产品的早期概念设计。
HBF全称为High Bandwidth Flash，通过堆叠NAND闪存制成，结构类似HBM。韩国科学技术院教授金正浩指出，尽管NAND闪存速度低于DRAM，但其容量约为后者的10倍，对下一代AI发展具有重要意义。
闪迪于2025年2月首次提出HBF概念，定位为融合3D NAND大容量与HBM高带宽的创新产品。SK海力士与闪迪合作计划在2026年下半年推出首批HBF内存样品，预计2027年初将有采用HBF的AI推理设备样品上市。
韩国新荣证券预测，到2030年HBF市场规模将达到120亿美元，约为同期HBM市场规模（1170亿美元）的10%。HBF预计将作为辅助内存与HBM形成互补，弥补HBM在容量上的不足。
AI推理需求推动多模态大模型发展，数据处理需求激增，容量成为算力瓶颈。广发证券表示，未来AI存储整体需求或达数百EB级别。TrendForce集邦咨询报告指出，2026年企业级SSD供应将趋紧，需求热潮延续至2027年。
当前存储行业处于“超级周期”，AI推理应用带动实时存取和高速处理需求，促使HDD与SSD厂商扩大大容量产品供给。CSP建置动能回升，DDR5产品需求增强，2026年CSP的DRAM采购需求有望大幅成长。受海外原厂产能限制，2025年第四季度存储涨价趋势预计持续。
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