摩根士丹利研报指出，AI推动存储行业供需格局重塑，预计开启持续数年的“超级周期”，2027年全球市场规模有望逼近3000亿美元。当前存储芯片行业正步入第四轮产业周期，需求由个人消费端转向企业级AI资本开支主导。

与过往周期不同，本轮由AI算力基建与HBM技术革命驱动。2012-2015年受智能机换机潮拉动，后因扩产导致供过于求；2016-2019年受益于3D NAND产能转移、DDR4迭代及手游需求，DRAM价格涨幅超100%；2020-2023年疫情催生远程办公与数据中心需求，随后因需求疲软、产能过剩价格下跌超50%。

2024年起，HBM成为核心增长引擎。三星Q3营业利润达12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比增158.55%，销售额86万亿韩元创历史新高。SK海力士Q3运营利润达11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39%；净利润12.598万亿韩元，三项指标均刷新纪录。HBM3E及服务器DDR5等高端产品推动其毛利率升至57%。

SK海力士已连续三个季度位居全球DRAM市场首位。2025年Q1以36.9%市占率首次超越三星，终结后者自1992年以来的垄断；Q2市占率达39.5%，领先差距扩大至6.2个百分点；Q3以35%营收份额再度居首。公司在HBM市场占有58%份额，HBM占其DRAM总销售额的40%。

供需紧张促使涨价预期升温。三星与SK海力士已通知客户，2025年Q4 DRAM与NAND Flash合同或现货价格拟上调约30%。多家云厂商正磋商2-3年期中长期协议以锁定资源。HBM晶圆产能消耗为标准DRAM三倍以上，致DRAM产能受挤压。

技术竞争加速推进。SK海力士已引进业界首台量产型High NA EUV光刻机至利川M16工厂，三星亦购入5台，其中部分将用于存储事业部产品量产。SK海力士已实现1c DRAM六层EUV光刻，良率80%-90%；三星在1c制程HBM4上良率约50%。美光采用EUV结合多重图案化DUV技术生产1γ工艺DDR5。

美光正评估跳过1e工艺直接进入9nm DRAM的可能性，以应对三星与SK海力士的技术追赶。三星计划从1d节点直跨至9nm（0a）工艺，SK海力士亦采取类似战略。

三星与SK海力士已与OpenAI签署协议，参与其5000亿美元Stargate项目，计划共建20个AI数据中心，目标2029年前运营。双方将在韩国建设初始容量20兆瓦的两座数据中心，并扩大产能至每月90万片DRAM晶圆，主要用于HBM供应。SK海力士当前月产能为16万片，需新建工厂满足订单。Stargate对高带宽内存需求迫切，HBM3E带宽可达3.35TB/s，显著提升GPU集群效率。

SK海力士已完成2026年全部HBM供应谈判，计划2025年Q4启动HBM4量产出货，2026年全面销售。公司已锁定2026年所有DRAM和NAND产能，预测HBM供应紧张将持续至2027年。三星将于2025年技术展亮相第六代12层HBM4，预计今年晚些时候量产。12层HBM4售价预计达500美元，较HBM3e高出60%以上。

尽管SK海力士目前领先，但竞争格局正在变化。美光已向英伟达供应部分HBM产品，三星也通过其先进HBM资格测试。Counterpoint Research警告，SK海力士需持续增强竞争优势以维持盈利。

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