TrendForce集邦咨询指出，2026年存储产业资本支出整体维持保守态势，对DRAM和NAND比特产出增长支持有限，供需格局难现决定性转变。

在DRAM领域，尽管三星电子和SK海力士存在小幅扩产可能，但美光扩产需待其美国爱达荷州博伊西ID1新晶圆厂建成。NAND方面，铠侠-闪迪与美光将加大投资，而三星电子和SK集团则保持观望。

预计2026年DRAM产业资本支出将同比增长14%，达613亿美元（约合4352.55亿元人民币）；NAND产业资本支出预计将增长5%，至222亿美元（约合1576.29亿元人民币）。

当前主要存储原厂正逐步调整投资策略，由单纯扩大产能转向聚焦制程技术升级、高层数堆栈、混合键合及HBM等高附加价值产品开发。

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